- номер частиCY7C1360B-200BZC
- БрендRochester Electronics
- Статус жизненного цикла Active
- RoHS RoHS Compliant
- ОписаниеCACHE SRAM, 256KX36, 3NS
- Категорияобъем памяти
В наличии: 702
Могу отправить немедленно
Цены:
- 1$8.73
Технические подробности
- ряд:-
- упаковка:Bulk
- статус детали:Active
- тип памяти:Volatile
- формат памяти:SRAM
- технологии:SRAM - Synchronous, SDR
- объем памяти:9Mb (256K x 36)
- интерфейс памяти:Parallel
- тактовая частота:200 MHz
- время цикла записи - слово, страница:-
- время доступа:3 ns
- напряжение - питание:3.135V ~ 3.6V
- Рабочая Температура:0°C ~ 70°C (TA)
- тип крепления:Surface Mount
- упаковка / чехол:165-LBGA
- пакет устройств поставщика:165-FBGA (13x15)
сопутствующие товары
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
В наличии: 2 356
Позвоните, чтобы узнать цену
IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
В наличии: 2 484
Позвоните, чтобы узнать цену
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
В наличии: 3 354
Позвоните, чтобы узнать цену
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 64FBGA
В наличии: 390
- 1: $2.48000
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 80TQFP
В наличии: 3 315
Позвоните, чтобы узнать цену
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
В наличии: 2 512
Позвоните, чтобы узнать цену
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP
В наличии: 8 249
- 1: $0.23000
- 3000: $0.15800
- 6000: $0.14973
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
В наличии: 2 617
- 1: $8.68403
- 144: $8.06930
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
В наличии: 3 550
Позвоните, чтобы узнать цену
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
В наличии: 3 895
- 1: $24.67000
- 72: $24.67000
Добавлено в корзину!
Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.