Технические подробности

• ряд:NoBL™
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип памяти:Volatile
• формат памяти:SRAM
• технологии:SRAM - Synchronous, SDR
• объем памяти:4.5Mb (256K x 18)
• интерфейс памяти:Parallel

• тактовая частота:100 MHz
• время цикла записи - слово, страница:-
• время доступа:8 ns
• напряжение - питание:3.135V ~ 3.465V
• Рабочая Температура:0°C ~ 70°C (TA)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:100-LQFP
• пакет устройств поставщика:100-TQFP (14x20)