- номер частиCY7C1314BV18-200BZXC
- БрендRochester Electronics
- Статус жизненного цикла Active
- RoHS RoHS Compliant
- ОписаниеQDR SRAM, 512KX36, 0.45NS
- Категорияобъем памяти
В наличии: 1 757
Могу отправить немедленно
Цены:
- 1$30.93
Технические подробности
- ряд:-
- упаковка:Bulk
- статус детали:Active
- тип памяти:Volatile
- формат памяти:SRAM
- технологии:SRAM - Synchronous, QDR II
- объем памяти:18Mb (512K x 36)
- интерфейс памяти:Parallel
- тактовая частота:200 MHz
- время цикла записи - слово, страница:-
- время доступа:-
- напряжение - питание:1.7V ~ 1.9V
- Рабочая Температура:0°C ~ 70°C (TA)
- тип крепления:Surface Mount
- упаковка / чехол:165-LBGA
- пакет устройств поставщика:165-FBGA (13x15)
сопутствующие товары
IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28TSOP
В наличии: 2 954
Позвоните, чтобы узнать цену
IC FLASH 8MBIT SPI 85MHZ 8SOIC
В наличии: 2 352
- 1: $1.62000
- 4000: $1.11331
- 8000: $1.10581
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I
В наличии: 3 930
- 1: $3.63968
- 1500: $3.51665
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
В наличии: 2 785
Позвоните, чтобы узнать цену
IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ SOT23-5
В наличии: 2 135
- 1: $0.13000
IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
В наличии: 2 324
Позвоните, чтобы узнать цену
IC EEPROM 4KBIT I2C 8TSSOP
В наличии: 3 214
- 1: $0.39238
- 2500: $0.37917
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
В наличии: 3 097
Позвоните, чтобы узнать цену
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
В наличии: 3 842
Позвоните, чтобы узнать цену
IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32TSOP
В наличии: 844
- 1: $0.99000
- 25: $0.90514
- 100: $0.75957
Добавлено в корзину!
Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.