Технические подробности

• ряд:NexFET™
• упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• статус детали:Active
• тип фета:P-Channel
• технологии:MOSFET (Metal Oxide)
• напряжение сток-исток (vdss):8 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:3A (Ta)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):1.8V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs:19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
• vgs(th) (макс.) @ id:1.1V @ 250µA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:6.3 nC @ 4.5 V
• ВГС (макс.):-6V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:914 pF @ 4 V
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):750mW (Ta)
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• пакет устройств поставщика:6-DSBGA
• упаковка / чехол:6-UFBGA, DSBGA