Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tray
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):200 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):15 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:500mV @ 10mA, 100mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):400nA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:40 @ 10mA, 1V
• мощность - макс.:-
• частота - переход:500MHz
• Рабочая Температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:Die
• пакет устройств поставщика:Die