Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tray
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):600 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):160 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:200mV @ 5mA, 50mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):50nA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:80 @ 10mA, 5V
• мощность - макс.:-
• частота - переход:300MHz
• Рабочая Температура:-65°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:Die
• пакет устройств поставщика:Die