Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tray
• статус детали:Obsolete
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):5 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):100 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:1.2V @ 500mA, 5A
• ток - отсечка коллектора (макс.):100µA

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:60 @ 2A, 2V
• мощность - макс.:6 W
• частота - переход:30MHz
• Рабочая Температура:-65°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:Die
• пакет устройств поставщика:Die