Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tray
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN - Darlington
• ток - коллектор (ic) (макс.):8 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):80 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:3V @ 80mA, 8A
• ток - отсечка коллектора (макс.):500µA

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:750 @ 4A, 3V
• мощность - макс.:-
• частота - переход:4MHz
• Рабочая Температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:Die
• пакет устройств поставщика:Die