Технические подробности

• ряд:IGBTMOD™
• упаковка:Bulk
• статус детали:Obsolete
• тип IGBT:-
• конфигурация:Half Bridge
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):1200 V
• ток - коллектор (ic) (макс.):300 A
• мощность - макс.:2100 W
• vce(on) (макс.) @ vge, ic:3.2V @ 15V, 300A

• ток - отсечка коллектора (макс.):1 mA
• входная емкость (cis) @ vce:60 nF @ 10 V
• вход:Standard
• нтк термистор:No
• Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Chassis Mount
• упаковка / чехол:Module
• пакет устройств поставщика:Module