Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tube
• статус детали:Active
• тип диода:Silicon Carbide Schottky
• напряжение - обратное постоянное (vr) (макс.):1200 V
• ток - средний выпрямленный (io):18A (DC)
• напряжение - прямое (vf) (max) @ если:1.7 V @ 5 A
• скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)

• время обратного восстановления (trr):0 ns
• ток - обратная утечка @ vr:100 µA @ 1200 V
• емкость при vr, ф:475pF @ 0V, 1MHz
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• пакет устройств поставщика:D-PAK (TO-252)
• рабочая температура - соединение:-55°C ~ 175°C