Технические подробности

• ряд:C3M™
• упаковка:Tube
• статус детали:Active
• тип фета:N-Channel
• технологии:SiCFET (Silicon Carbide)
• напряжение сток-исток (vdss):1000 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:35A (Tc)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):15V
• rds on (max) @ id, vgs:78mOhm @ 20A, 15V
• vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 5mA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 15 V
• ВГС (макс.):+15V, -4V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:660 pF @ 600 V
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):113.5W (Tc)
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• пакет устройств поставщика:D2PAK-7
• упаковка / чехол:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA