Технические подробности

• ряд:C3M™
• упаковка:Tube
• статус детали:Active
• тип фета:N-Channel
• технологии:SiCFET (Silicon Carbide)
• напряжение сток-исток (vdss):650 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:49A (Tc)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):15V
• rds on (max) @ id, vgs:60mOhm @ 17.6A, 15V
• vgs(th) (макс.) @ id:3.6V @ 4.84mA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:63 nC @ 15 V
• ВГС (макс.):+19V, -8V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:1621 pF @ 600 V
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):176W (Tc)
• Рабочая Температура:-40°C ~ 175°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• пакет устройств поставщика:TO-247-4L
• упаковка / чехол:TO-247-4