Технические подробности

• ряд:C3M™
• упаковка:Tube
• статус детали:Active
• тип фета:N-Channel
• технологии:SiCFET (Silicon Carbide)
• напряжение сток-исток (vdss):650 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:97A (Tc)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):15V
• rds on (max) @ id, vgs:34mOhm @ 33.5A, 15V
• vgs(th) (макс.) @ id:3.6V @ 9.22mA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:108 nC @ 15 V
• ВГС (макс.):+19V, -8V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:2980 pF @ 600 V
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):326W (Tc)
• Рабочая Температура:-40°C ~ 175°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• пакет устройств поставщика:TO-247-3
• упаковка / чехол:TO-247-3