Технические подробности

• ряд:SIPMOS®
• упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• статус детали:Active
• тип фета:P-Channel
• технологии:MOSFET (Metal Oxide)
• напряжение сток-исток (vdss):100 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:1A (Tc)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:800mOhm @ 1A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id:1V @ 380µA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:16.5 nC @ 10 V
• ВГС (макс.):±20V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:372 pF @ 25 V
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):1.8W (Ta)
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• пакет устройств поставщика:PG-SOT223-4
• упаковка / чехол:TO-261-4, TO-261AA