BSM100GB170DN2HOSA1 IR (Infineon Technologies) | Baseonchip
В наличии: 3 565

Могу отправить немедленно

Цены:

Позвоните, чтобы узнать цену или отправьте запрос

Технические подробности

  • ряд:-
  • упаковка:Tray
  • статус детали:Obsolete
  • тип IGBT:-
  • конфигурация:Half Bridge
  • напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):1700 V
  • ток - коллектор (ic) (макс.):145 A
  • мощность - макс.:1000 W
  • vce(on) (макс.) @ vge, ic:3.9V @ 15V, 100A

 

  • ток - отсечка коллектора (макс.):1 mA
  • входная емкость (cis) @ vce:16 nF @ 25 V
  • вход:Standard
  • нтк термистор:No
  • Рабочая Температура:150°C (TJ)
  • тип крепления:Chassis Mount
  • упаковка / чехол:Module
  • пакет устройств поставщика:Module

сопутствующие товары


Product

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

В наличии: 47

  • 1: $229.66000
  • 6: $229.66000
Product

IGBT MODULE

В наличии: 3 124

  • 1: $67.84000
  • 10: $67.84000
Product

IGBT MODULE 600V 75A 430W

В наличии: 2 925

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

IGBT MOD 650V 221A INT-A-PAK

В наличии: 3 253

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

IGBT MODULE

В наличии: 2

  • 1: $123.33000
  • 6: $123.33000
Product

IGBT MOD 1200V 500A INT-A-PAK

В наличии: 3 492

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3

В наличии: 3 698

  • 1: $65.96000
  • 100: $49.91260
Product

IGBT MOD 1200V 100A 445W SOT227B

В наличии: 2 015

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

IGBT MODULE 600V 100A 250W SP4

В наличии: 2 983

Позвоните, чтобы узнать цену

Product

IGBT, 20A, 600V, N-CHANNEL

В наличии: 2 870

  • 1: $17.06000
  • 30: $17.06000
Top