Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tray
• статус детали:Active
• тип фета:2 N-Channel (Dual)
• Фет-функция:Silicon Carbide (SiC)
• напряжение сток-исток (vdss):1200V (1.2kV)
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
• rds on (max) @ id, vgs:-

• vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 13.2mA
• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:-
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:800pF @ 10V
• мощность - макс.:600W
• Рабочая Температура:175°C (TJ)
• тип крепления:Chassis Mount
• упаковка / чехол:Module
• пакет устройств поставщика:Module