Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):100 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):32 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:550mV @ 1.25mA, 50mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):20nA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:250 @ 2mA, 5V
• мощность - макс.:330 mW
• частота - переход:250MHz
• Рабочая Температура:150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• пакет устройств поставщика:PG-SOT23-3-1