Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:PNP
• ток - коллектор (ic) (макс.):800 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):25 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:700mV @ 50mA, 500mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):100nA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:250 @ 100mA, 1V
• мощность - макс.:310 mW
• частота - переход:100MHz
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• пакет устройств поставщика:SOT-23-3 (TO-236)