Технические подробности

• ряд:HEXFET®
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип фета:N-Channel
• технологии:MOSFET (Metal Oxide)
• напряжение сток-исток (vdss):55 V
• ток - непрерывный слив (id) при 25°c:160A (Tc)
• напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
• rds on (max) @ id, vgs:3.3mOhm @ 75A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 250µA

• заряд затвора (qg) (max) @ vgs:290 nC @ 10 V
• ВГС (макс.):±20V
• входная емкость (ciss) (max) @ vds:7.96 pF @ 25 V
• Фет-функция:-
• рассеиваемая мощность (макс.):300W (Tc)
• Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• пакет устройств поставщика:TO-262
• упаковка / чехол:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA