Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип IGBT:Trench Field Stop
• конфигурация:Half Bridge
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):650 V
• ток - коллектор (ic) (макс.):200 A
• мощность - макс.:350 W
• vce(on) (макс.) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 100A

• ток - отсечка коллектора (макс.):100 µA
• входная емкость (cis) @ vce:6 nF @ 25 V
• вход:Standard
• нтк термистор:Yes
• Рабочая Температура:-40°C ~ 175°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:SP1
• пакет устройств поставщика:SP1