Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип IGBT:Trench Field Stop
• конфигурация:Half Bridge
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):1200 V
• ток - коллектор (ic) (макс.):610 A
• мощность - макс.:2080 W
• vce(on) (макс.) @ vge, ic:2.2V @ 15V, 400A

• ток - отсечка коллектора (макс.):5 mA
• входная емкость (cis) @ vce:24.6 nF @ 25 V
• вход:Standard
• нтк термистор:No
• Рабочая Температура:-40°C ~ 175°C (TJ)
• тип крепления:Chassis Mount
• упаковка / чехол:D-3 Module
• пакет устройств поставщика:D3