Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Obsolete
• тип IGBT:NPT
• конфигурация:Half Bridge
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):1200 V
• ток - коллектор (ic) (макс.):210 A
• мощность - макс.:961 W
• vce(on) (макс.) @ vge, ic:3.7V @ 15V, 150A

• ток - отсечка коллектора (макс.):250 µA
• входная емкость (cis) @ vce:9.3 nF @ 25 V
• вход:Standard
• нтк термистор:Yes
• Рабочая Температура:-
• тип крепления:Chassis Mount
• упаковка / чехол:SP3
• пакет устройств поставщика:SP3