Технические подробности

• ряд:POWER MOS 7®
• упаковка:Tube
• статус детали:Active
• тип IGBT:PT
• конфигурация:Single
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):1200 V
• ток - коллектор (ic) (макс.):75 A
• мощность - макс.:329 W
• vce(on) (макс.) @ vge, ic:3.9V @ 15V, 45A

• ток - отсечка коллектора (макс.):750 µA
• входная емкость (cis) @ vce:4 nF @ 25 V
• вход:Standard
• нтк термистор:No
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Chassis Mount
• упаковка / чехол:ISOTOP
• пакет устройств поставщика:ISOTOP®