Технические подробности

• ряд:POWER MOS 7®
• упаковка:Tube
• статус детали:Active
• тип IGBT:PT
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):600 V
• ток - коллектор (ic) (макс.):100 A
• ток - коллектор импульсный (icm):160 A
• vce(on) (макс.) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 40A
• мощность - макс.:543 W
• переключение энергии:385µJ (on), 352µJ (off)

• тип ввода:Standard
• заряд ворот:135 nC
• td (вкл./выкл.) при 25°C:20ns/64ns
• условия испытаний:400V, 40A, 5Ohm, 15V
• время обратного восстановления (trr):-
• Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• пакет устройств поставщика:D3 [S]