Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tube
• статус детали:Obsolete
• тип диода:Silicon Carbide Schottky
• напряжение - обратное постоянное (vr) (макс.):1200 V
• ток - средний выпрямленный (io):68A (DC)
• напряжение - прямое (vf) (max) @ если:1.8 V @ 20 A
• скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)

• время обратного восстановления (trr):0 ns
• ток - обратная утечка @ vr:400 µA @ 1200 V
• емкость при vr, ф:1135pF @ 0V, 1MHz
• тип крепления:-
• упаковка / чехол:-
• пакет устройств поставщика:-
• рабочая температура - соединение:-55°C ~ 150°C