- номер частиAFT21H350W04GSR6
- БрендNXP Semiconductors
- Статус жизненного цикла Active
- RoHS RoHS Compliant
- ОписаниеFET RF 2CH 65V 2.11GHZ
- Категориятранзисторы - fets, mosfets - rf
В наличии: 3 017
Могу отправить немедленно
Цены:
Позвоните, чтобы узнать цену или отправьте запрос
Технические подробности
- ряд:-
- упаковка:Tape & Reel (TR)
- статус детали:Obsolete
- тип транзистора:LDMOS
- частота:2.11GHz
- прирост:16.4dB
- напряжение - тест:28 V
- номинальный ток (ампер):-
- коэффициент шума:-
- текущий - тест:750 mA
- выходная мощность:63W
- напряжение - номинальное:65 V
- упаковка / чехол:NI-1230S-4 GW
- пакет устройств поставщика:NI-1230S-4 GULL
сопутствующие товары
FET RF 40V 870MHZ 10PWRSOIC
В наличии: 3 866
Позвоните, чтобы узнать цену
PCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES
В наличии: 48 000
- 1: $0.12000
NCH J-FET
В наличии: 2 500
- 1: $0.18000
FET RF 66V 880MHZ NI-880S
В наличии: 2 276
Позвоните, чтобы узнать цену
FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S
В наличии: 3 786
Позвоните, чтобы узнать цену
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
В наличии: 2 100
- 1: $245.78096
- 250: $118.86860
RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
В наличии: 3 143
Позвоните, чтобы узнать цену
SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ
В наличии: 3 413
- 1: $48.02500
PCH 2.5V DRIVE SERIES
В наличии: 9 000
- 1: $0.30000
IC AMP RF LDMOS
В наличии: 3 635
Позвоните, чтобы узнать цену
Добавлено в корзину!
Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.