- номер частиA2G26H281-04SR3
- БрендNXP Semiconductors
- Статус жизненного цикла Active
- RoHS RoHS Compliant
- ОписаниеAIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
- Категориятранзисторы - fets, mosfets - rf
В наличии: 3 597
Могу отправить немедленно
Цены:
- 1$199.6192
- 250$148.70332
Технические подробности
- ряд:-
- упаковка:Tape & Reel (TR)
- статус детали:Active
- тип транзистора:LDMOS
- частота:2.496GHz ~ 2.69GHz
- прирост:14.2dB
- напряжение - тест:48 V
- номинальный ток (ампер):-
- коэффициент шума:-
- текущий - тест:150 mA
- выходная мощность:50W
- напряжение - номинальное:125 V
- упаковка / чехол:NI-780S-4L
- пакет устройств поставщика:NI-780S-4L
сопутствующие товары
RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP
В наличии: 129
- 1: $124.34000
- 250: $124.34000
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A
В наличии: 3 839
Позвоните, чтобы узнать цену
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
В наличии: 2 403
Позвоните, чтобы узнать цену
IC AMP RF LDMOS
В наличии: 2 501
Позвоните, чтобы узнать цену
MOSFET RF N-CH 170V 30MHZ T2
В наличии: 48
- 1: $92.22000
- 10: $86.45981
- 25: $82.42511
RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112
В наличии: 188
- 1: $47.10000
- 100: $38.18614
1400W GAN HEMT, 50V, 0.96-1.4GHZ
В наличии: 3 298
- 1: $1091.11000
IC TRANS RF HF/VHF/UHF
В наличии: 2 984
- 1: $64.75000
- 50: $57.34260
FET RF 8V 1.9GHZ 79A
В наличии: 3 028
Позвоните, чтобы узнать цену
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539B
В наличии: 20
- 1: $430.12000
- 20: $417.18600
Добавлено в корзину!
Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.