Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
• статус детали:Obsolete
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):500 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):20 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:400mV @ 20mA, 500mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):100nA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:200 @ 500mA, 2V
• мощность - макс.:300 mW
• частота - переход:200MHz
• Рабочая Температура:150°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:3-SSIP
• пакет устройств поставщика:NS-B1