Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):2 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):50 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:300mV @ 50mA, 1A
• ток - отсечка коллектора (макс.):1µA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:200 @ 100mA, 2V
• мощность - макс.:1 W
• частота - переход:420MHz
• Рабочая Температура:150°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
• пакет устройств поставщика:3-MP