Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):5 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):800 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:500mV @ 400mA, 2A
• ток - отсечка коллектора (макс.):100µA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:10 @ 2A, 4V
• мощность - макс.:75 W
• частота - переход:6MHz
• Рабочая Температура:150°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:TO-3P-3 Full Pack
• пакет устройств поставщика:TO-3PF