Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
• статус детали:Obsolete
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):100 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):50 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:300mV @ 10mA, 100mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):1µA

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:160 @ 2mA, 10V
• мощность - макс.:300 mW
• частота - переход:150MHz
• Рабочая Температура:150°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:3-SSIP
• пакет устройств поставщика:NS-B1