Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Obsolete
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):150 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):50 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:500mV @ 5mA, 50mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):100nA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:135 @ 1mA, 6V
• мощность - макс.:200 mW
• частота - переход:100MHz
• Рабочая Температура:150°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• пакет устройств поставщика:3-CP