Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Obsolete
• тип транзистора:PNP
• ток - коллектор (ic) (макс.):15 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):200 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:3V @ 1A, 10A
• ток - отсечка коллектора (макс.):100µA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:50 @ 5A, 4V
• мощность - макс.:150 W
• частота - переход:20MHz
• Рабочая Температура:150°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:3-ESIP
• пакет устройств поставщика:MT-200