Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bag
• статус детали:Active
• тип транзистора:PNP
• ток - коллектор (ic) (макс.):2 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):40 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:500mV @ 100mA, 1A
• ток - отсечка коллектора (макс.):-

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:50 @ 1A, 1V
• мощность - макс.:1 W
• частота - переход:500MHz
• Рабочая Температура:-
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:TO-237AA
• пакет устройств поставщика:TO-237