Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):50 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):30 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:200mV @ 500µA, 10mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):2nA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:1200 @ 10mA, 5V
• мощность - макс.:1.5 W
• частота - переход:150MHz
• Рабочая Температура:-65°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• пакет устройств поставщика:TO-92