Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bag
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):7 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):80 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:1.2V @ 700mA, 7A
• ток - отсечка коллектора (макс.):100µA

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:60 @ 2A, 2V
• мощность - макс.:40 W
• частота - переход:20MHz
• Рабочая Температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:TO-213AA, TO-66-2
• пакет устройств поставщика:TO-66