Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):50 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):50 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:700mV @ 1mA, 10mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):50nA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:200 @ 100µA, 5V
• мощность - макс.:350 mW
• частота - переход:30MHz
• Рабочая Температура:-65°C ~ 150°C (TJ)
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• пакет устройств поставщика:TO-92