Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:PNP
• ток - коллектор (ic) (макс.):30 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):15 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:350mV @ 1mA, 10mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):10µA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:30 @ 10mA, 1V
• мощность - макс.:200 mW
• частота - переход:-
• Рабочая Температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:3-SMD, No Lead
• пакет устройств поставщика:UB