Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tray
• статус детали:Active
• тип транзистора:PNP
• ток - коллектор (ic) (макс.):1 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):175 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:600mV @ 5mA, 50mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):10µA

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:100 @ 50mA, 10V
• мощность - макс.:1.5 W
• частота - переход:-
• Рабочая Температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:3-SMD, No Lead
• пакет устройств поставщика:UB