Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tray
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):1 A
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):350 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:500mV @ 4mA, 50mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):2µA

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:40 @ 20mA, 10V
• мощность - макс.:800 mW
• частота - переход:-
• Рабочая Температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:3-SMD, No Lead
• пакет устройств поставщика:U4