Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:2 NPN (Dual)
• ток - коллектор (ic) (макс.):30mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):60V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:300mV @ 100µA, 1mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):10µA (ICBO)

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:300 @ 1mA, 5V
• мощность - макс.:350mW
• частота - переход:-
• Рабочая Температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:6-SMD, No Lead
• пакет устройств поставщика:6-SMD