Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• тип транзистора:NPN
• ток - коллектор (ic) (макс.):50 mA
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):60 V
• насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:300mV @ 100µA, 1mA
• ток - отсечка коллектора (макс.):2nA

• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:225 @ 10mA, 5V
• мощность - макс.:360 mW
• частота - переход:-
• Рабочая Температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
• тип крепления:Surface Mount
• упаковка / чехол:3-SMD, No Lead
• пакет устройств поставщика:UB