Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Active
• управляемая конфигурация:Half-Bridge
• тип канала:Independent
• количество водителей:2
• тип ворот:IGBT, SiC MOSFET
• напряжение - питание:5V
• логическое напряжение - vil, vih:-

• ток - пиковый выход (источник, сток):-
• тип ввода:-
• напряжение на стороне высокого напряжения - макс. (начальная загрузка):-
• время нарастания/спада (тип.):500ns, 500ns
• Рабочая Температура:-40°C ~ 85°C (TA)
• тип крепления:Chassis Mount
• упаковка / чехол:Module
• пакет устройств поставщика:Module