Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Bulk
• статус детали:Obsolete
• тип транзистора:NPN
• напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):21V
• частота - переход:2GHz
• коэффициент шума (дБ тип @ f):-
• прирост:7dB ~ 9dB

• мощность - макс.:5.3W
• усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:20 @ 100mA, 5V
• ток - коллектор (ic) (макс.):300mA
• Рабочая Температура:150°C (TJ)
• тип крепления:Chassis Mount
• упаковка / чехол:55EU
• пакет устройств поставщика:55EU