Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tube
• статус детали:Obsolete
• тип диода:Silicon Carbide Schottky
• напряжение - обратное постоянное (vr) (макс.):650 V
• ток - средний выпрямленный (io):2.5A
• напряжение - прямое (vf) (max) @ если:1.3 V @ 2.5 A
• скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)

• время обратного восстановления (trr):0 ns
• ток - обратная утечка @ vr:5 µA @ 650 V
• емкость при vr, ф:274pF @ 1V, 1MHz
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:TO-257-3
• пакет устройств поставщика:TO-257
• рабочая температура - соединение:-55°C ~ 250°C