Технические подробности

• ряд:-
• упаковка:Tube
• статус детали:Obsolete
• тип диода:Silicon Carbide Schottky
• напряжение - обратное постоянное (vr) (макс.):1200 V
• ток - средний выпрямленный (io):750mA
• напряжение - прямое (vf) (max) @ если:1.74 V @ 750 mA
• скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)

• время обратного восстановления (trr):0 ns
• ток - обратная утечка @ vr:10 µA @ 1200 V
• емкость при vr, ф:66pF @ 1V, 1MHz
• тип крепления:Through Hole
• упаковка / чехол:TO-257-3
• пакет устройств поставщика:TO-257
• рабочая температура - соединение:-55°C ~ 250°C